2023年11月8日上午，我院邀请中国科学院高能物理研究所曹兴忠、王宝义研究员在理科楼B413为师生先后作了《正电子谱学》《正电子谱学技术应用研究》两场学术报告。学院组织青年教师及研究生参会，应用物理系主任尹崇山主持报告会。

正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势，在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中，可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息。正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本的分析方法，在金属、高分子、粉末等材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面能够发挥独特的作用。此外，慢正电子束流技术在材料的表面和多层膜材料的界面的微观结构和缺陷的深度分布的研究中有广泛的应用。通过正电子技术所得到的微观结构和缺陷、电子密度和动量分布等信息对研究材料的微观结构、优化材料的工艺和性能等方面有着指导作用。老师和研究生听完报告后感到受益匪浅，对2位研究员的研究成果和严谨的治学态度表示钦佩。

曹兴忠研究员现为中国科学院高能物理研究所研究员，中国科学院大学研究生院教授，博士生导师。全国正电子谱学专业委员会秘书长、委员，中国核学会辐照效应分会理事、学术委员，全国穆斯堡尔谱学专业委员会委员，反应堆物理和材料专业委员会委员，聚变材料学术会议委员。国家重点研发计划首席科学家、主持国家自然科学基金联合基金项目以及多个面上项目和重大研究计划培育项目。

王宝义研究员现为中国科学院高能物理研究所研究员，博士生导师。多学科研究中心主任，全国正电子谱学专业委员会主任。先后参加了多项国家自然科学基金、中国科学院基础研究重点项目、中国科学院院长基金以及中科院创新基金项目等。在新材料微观结构和晶体缺陷表征研究以及核技术方法学研究方面研究颇深。

             （图/尹崇山 文/杜奕霏 审核/张国强）