报告承办单位: 物理与电子科学学院

报告内容:  Compact Modeling of Junction Failure in Semiconductor Devices Subject to Electrostatic Discharge Stresses

报告人姓名: 刘俊杰

报告人所在单位:  郑州大学

报告人职称/职务及学术头衔: 教授，博士生导师

报告时间: 2019年12月17日上午10:00

报告地点: 云塘理科楼B413

报告人简介:

 刘俊杰教授于1987年获得美国佛罗里达大学电子工程专业博士学位。IEEE Fellow，美国佛罗里达大学终身教授，郑州大学教授。长期致力于半导体器件和集成电路静电保护的研究，是国际上半导体器件和集成电路ESD领域的权威之一。曾担任IEEE电子器件协会副主席，获得IEEE杰出教育奖。近十年来，从美国国家自然科学基金和世界知名半导体企业获得超过1000万美元的科研经费，发表论文500多篇，授权美国专利12项。